В России создали фотодиоды нового поколения для ночного видения и экосенсоров

Запатентованы  первые фотодиоды, работающие в ближнем инфракрасном диапазоне. Разработку провели учёные из Алфёровского университета совместно с АО «ОКБ-Планета» и ООО «Иоффе-ЛЕД».
Устройства могут лечь в основу новых систем ночного видения и высокочувствительных сенсоров для экологического мониторинга. Они основаны на усовершенствованном полупроводнике, арсениде индия-галлия (InGaAs) с повышенным содержанием индия. 

Главное достижение - технология выращивания кристаллов InGaAs с рекордной концентрацией индия. Это расширяет диапазон чувствительности фотодиодов и при этом сохраняет совместимость с существующими производственными процессами. Такой подход позволит в перспективе быстро наладить серийное производство и конкурировать с зарубежными аналогами.
Разработка открывает новые возможности, такие как создание более детализированных приборов ночного видения,производство сенсоров для мониторинга газовых выбросов, усиление технологической независимости в чувствительной электронике.

«Это шаг к собственным высокочувствительным инфракрасным сенсорам, которые смогут заменить импортные решения»,-  отмечают разработчики.